天津动态测试超声波键合机

IGBT的基础拓扑结构是怎样的？，在IGBT模块/单管中，一般统称一单元是IGBT单管，二单元是单个桥臂（半桥），四单元是H桥（单相桥），六单元是三相桥（全桥），七单元一般是六单元+一个制动单元，八单元一般是六单元+制动单元+预充电单元。一个单元由1对、2对或3对FRD+IGBT组成。其中1对，可以是1个FRD+1个IGBT，也可以是1个FRD+2个IGBT等。具体实物可参照下图，这是一个6单元的IGBT模块。功率循环和温度循环作为表示的耐久测试，要求极为严格，例如功率循环次数可能从几万次到十万次不等。主要目的是测试键合线、焊接层等机械连接层的耐久情况。测试时的失效机理主要是，芯片、键合线、DBC、焊料等的热膨胀系数不一致，导致键合线脱落、断裂，芯片焊层分离，以及焊料老化等。汽车IGBT模块测试标准主要参照AEC-Q101和AQG-324，同时车企会根据自己的车型特点提出相应的要求。天津动态测试超声波键合机

IGBT应用场景，以上就是IGBT的一些基础知识的介绍了，IGBT发展至今这么长的时间，从传统的电力电子领域拓展到汽车电子领域，IGBT设备的性能也在不断提升，要求也越来越高。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT模块生产过程主要是把晶圆贴片在陶瓷基板上，键合线，插针，点胶密封等过程。在阅读本文之前，欢迎识别二维码加入艾邦IGBT产业微信群；DBC底板贴装机供应商在电控模块中，IGBT模块是逆变器的较主要部件。

虽然新能源汽车的需求潜力巨大，但一般来说，在这个领域IGBT公司要分一杯羹并不容易。目前国产IGBT进入国内主要领域或工业领域IGBT接受度已经很高了。变频白色家电也有广阔的市场前景。以空调为例。根据[敏感词]政策，非变频空调将于2020年停止生产，非变频空调将于2021年停止销售。目前，变频空调的市场份额只有50%，这意味着变频空调将在未来半年内产量翻倍。变频空调的主要设备是IGBT为主要的IPM模块、变频空调压缩机、内风扇、外风扇均需IPM实现变频控制。

焊接 IGBT 功率模块封装失效机理：键合线失效，一般使用 Al 或 Cu 键合线将端子与芯片电极超声键合实现与外部的电气连接，两种材料均与 Si 及Si 上绝缘材料，如 SiO2 的 CTE 差别较大。当模块工作时，IGBT 芯片功耗以及键合线的焦耳热会使键合线温度升高，并在接触点和键合线上产生温度梯度，形成剪切应力。长时间处于开通与关断循环的工作状态，产生应力及疲劳形变累积，会导致接触点产生裂纹，增大接触热阻，焦耳热增多，温度梯度加大较终导致键合线受损加剧，形成正向反馈循环，较终导致键合线脱落或断裂。研究表明，这些失效是由材料 CTE 不匹配导致的结果。键合线断裂的位置出现在其根部，这种根部断裂是键合线失效的主要表现。一些研究指出，可以通过优化键合线的形状来改善其可靠性。具体而言，键合线高度越高、键合线距离越远，键合线所受应力水平越低，可靠性越高。当绝缘栅极上的电压变化时，它会影响到晶体管的导通，从而控制电流的流动。

对单一截齿的高频钎焊、镐型截齿、掘进机截齿的硬质合金焊接，可以选用德胜DSGP-50型高频钎焊设备。当然也可以选用DSGP-80KW、DSGP-120KW型截齿焊接修复设备，根据工件大小和热处理工艺要求来正确选择。IGBT截齿中频钎焊设备组成和优势：1、截齿中频钎焊设备包括如下组成：A、中频钎焊设备 一套；B、感应器 一套；C、截齿焊接旋转工装 一套；D、自动提取淬火槽 一套；E、闭式冷却系统 一台；截齿焊接设备一次性整体加热；加热温度均匀。截齿焊接设备旋转工装：焊接区截齿旋转机构单独电机驱动速度可调完全解决齿体加热均匀性、机械手不停线抓取完美解决齿体在感应器内加热停顿导致温度微观差异。IGBT的工作原理是将电路的电流控制分为两个部分：绝缘栅极的电流控制和双极型晶体管的电流控制。专业IGBT自动化设备制造

IGBT可以用于现场可控硅（FACTS），用于调整电力系统的频率、电压和功率。天津动态测试超声波键合机

国内新能源汽车的迅猛发展，带动了对IGBT、SiC等车规级功率器件的大量需求，同时对功率器件的可靠性要求亦提高了一个台阶。为满足汽车行驶中各种工况的严苛要求，以及车规级器件极低的失效率PPM要求，更多更严格的筛选手段被不断引入，同时也要兼顾总制造成本，以提高产品市场竞争力。高性能的DBC动态测试设备，在提高功率器件筛选标准的同时，较大程度上降低了器件的制造成本，为国内功率器件的发展舔砖加瓦，并助力了新能源汽车的发展。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。天津动态测试超声波键合机